1．ＰＮ结的形成
（1）当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界面处存在 载流子浓度的差异 ，这样电子和空穴都要 从浓度高的地方向浓度低的地方扩散 。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使Ｐ区和Ｎ区中原来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为 空间电荷 ，它们集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的 ＰＮ结 。
�。�2）在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为 耗尽层 。
�。�3）Ｐ区一侧呈现负电荷，Ｎ区一侧呈现正电荷，因此空间电荷区出现了方向由Ｎ区指向Ｐ区的电场，由于这个电场是载流子扩散运动形成的，而不是外加电压形成的，故称为 内电场 。
�。�4）内电场是由多子的扩散运动引起的，伴随着它的建立将带来两种影响：一是 内电场将阻碍多子的扩散 ，二是P区和N区的少子一旦靠近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方， 使空间电荷区变窄 。
�。�5）因此， 扩散运动使空间电荷区加宽，内电场增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散；而漂移运动使空间电荷区变窄，内电场减弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。
当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，交界面形成稳定的空间电荷区，即 ＰＮ结处于动态平衡 s。
2．ＰＮ结的单向导电性
�。�1） 外加正向电压 （正偏）
在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。
�。�2） 外加反向电压 （反偏）
在外电场作用下，多子将背离ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散，漂移运动起主要作用。漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流。 因少子浓度很低，反向电流远小于正向电流 。
当温度定时，少子浓度定，反向电流不随外加电压而变化，故称为 反向饱和电流 。
3.二极管的基本应用电路
（1）限幅电路---利用二极管的单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点组成。
（2）箝位电路---将输出电压箝位在一数值上。
注：黑色---输入信号，蓝色---输出信号，波形为用ＥＷＢ仿真结果。
X7R
性质：
1. 介电常数可达到3000，容温变化率小于15％，介电损耗小于3.5%；
2. 粉体粒径250-300nm，烧成陶瓷晶粒尺寸300-400nm。
用途：
1. 此介质材料为环保型粉料，无镉（Cd）和铅(Pd)的化合物；
2. 适合于制备薄层大容量贱金属内电极多层陶瓷电容器的生产：单层陶瓷膜片厚度5～10mm；层数从几十到几百层；电容量从 0.1 nF 到100 nF；
3. 由于瓷粉粒度�。稚⑿院茫虼瞬恍枰俳芯缌业那蚰ィ悦飧谋浯闪系木ЯＰ灾剩剐阅芰踊�
